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如何消除高反壓肖特基芯片反向擊穿曲線存在移動問題

項目編号:XP377C392D2231

項目狀态:已發布

項目分類: 電子元器件

所在地:浙江 / 杭州

需求内容:

我公司的技術問題:

    1、消除高反壓肖特基芯片反向擊穿曲線存在移動問題:高壓肖特基芯片在測試過程存在擊穿曲線向高壓方向移動,或者說擊穿曲線不夠穩定的問題。希望擊穿曲線保持穩定不動。 

    2、用于高壓肖特基器件制備的4H-SiC襯底及外延:用于制備600V,1200V高壓肖特基二極管需要的4H-SiC襯底和外延。其中4H-SiC襯底尺寸為4寸或者6寸,厚度350um,晶向為<0001>,N型摻雜,電阻率小于0.01Ohm-cm,微管缺陷密度小于10 cm-2;同時具備N型摻雜和P型摻雜外延能力,摻雜濃度1E15 cm-3 至1E17 cm-3。 

解決技術難題或引進技術産品大緻預算 200 萬元

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